3月26日，2025上海汽车动力系统技术展览会在上海举办。作为从研发到应用落地的横跨汽车产业链上下游的专业展示平台，ATC 2025汽车动力、热管理、测试展汇聚400+国内外汽车总成、零部件行业头部企业，数万专业观众共聚现场，共话新能源汽车行业未来发展趋势。

赛晶科技作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业，携自主研发IGBT、SiC芯片及模块亮相并发表主题报告。

本次大会上，赛晶半导体技术支持兼市场总监马先奎就《高可靠性SiC/Si芯片及其在车规级功率模块》为主题发表演讲，与会者反响热烈。

赛晶SiC MOSFET芯片，采用多项行业领先的特色设计和工艺，具有高速开关、超低导通电阻，以及高可靠性和良好的温度特性。

赛晶科技SiC MOSFET芯片

不仅如此，源于出色的设计和工艺，赛晶SiC MOSFET芯片在高温工作条件下，展现出了极佳的静态和动态特性，并且达到了行业一流水平的1200V/13mΩ@25度(24mΩ@175度)。此外，我们还研发出了1400V/17mΩ产品，以适应更高电驱1000V平台的发展需求。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，赛晶还推出了多规格、型号的车规级、高性能HEEV封装、EVD封装SiC模块。

HEEV封装SiC模块具有低杂感、体积小等特点，采用压注封装且一改经典串联水冷模式采用并联无底板设计大大提高了其散热效率，能够将SiC芯片的性能得到更充分的发挥，助力客户实现高达250kW最紧凑电驱的实现。

EVD封装SiC模块通过优化内部布局，采用创新的针脚封装和工艺设计，赛晶模块MOSFET导通电阻降低10%~30%、封装阻抗降低约1/3。EVD封装产品有Si和SiC两种类型，该产品可以让客户能够最大可能的借鉴既有Si产品的系统设计，同时可以有灵活的商务供应。

同期展会上，赛晶展出的i20 IGBT芯片、SiC芯片，以及针对电动汽车开发的高可靠性HEEV封装SiC模块、EVD封装SiC模块、BEVD封装IGBT模块。此外，还带来工业应用产品“ED封装IGBT模块、ST封装IGBT模块、EP封装IGBT模块和FP封装IGBT模块”，受到了与会技术专家和客户的高度关注，吸引众多国内外与会者、现场嘉宾的高度关注和深入交流。

随着科技的飞速发展和全球环保意识的不断增强，新能源汽车市场正以前所未有的速度演进。赛晶科技凭借国际一流的技术水平和卓越的性能表现，在电动汽车、新能源发电与储能领域的强大技术实力，赢得国内外业内专家和客户的一致认可和高度赞誉，为助力和推动新能源汽车行业蓬勃发展，作出应有的贡献。