11月9日,2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会(CPEEC & CPSSC 2024)在西安举办。中国电源学会学术年会暨展览会是中国电源界规模最大、级别最高的学术、技术和产业盛会,已有超过40年历史。会议旨在促进电力电子、能量转换与电源技术相关领域海内外学者和相关人员的学术交流, 促进产、学、研的合作,促进相关产业及产业链的技术创新和进步。
作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业,赛晶科技携自主研发IGBT、SiC芯片及模块,以及层叠母排、集成母排产品亮相并发表主题报告。
本次大会上,赛晶半导体技术支持兼市场总监马先奎就《高可靠性SiC芯片及其在车规级紧凑封装功率模块中的应用》为主题发表演讲,与会者反响热烈。
赛晶科技SiC MOSFET芯片
赛晶科技SiC MOSFET芯片,采用多项行业领先的特色设计和工艺,具有低导通电阻、高可靠性和良好的温度特性。
不仅如此,源于出色的设计和工艺,赛晶SiC MOSFET芯片在高温工作条件下,展现出了极佳的静态和动态特性,并且达到了行业一流水平的1200V/13mΩ。
此外,采用此SiC MOSFET芯片,赛晶科技还推出了多规格、型号的车规级、高性能HEEV封装、EVD封装SiC模块。
HEEV封装SiC模块具有低杂感、体积小等特点,能够将SiC芯片的性能得到更充分的发挥,助力客户实现高达250kW最紧凑电驱的实现。
EVD封装SiC模块的产品可以让客户能够最大可能的借鉴既有Si产品的系统设计,同时可以有灵活的商务供应。
同期展会上,赛晶展出的i20 IGBT芯片、ED封装IGBT模块、ST封装IGBT模块、BEVD封装IGBT模块、EP封装IGBT模块、HEEV封装SiC模块、EVD封装SiC模块,以及层叠母排、集成母排产品。受到了与会技术专家和客户的高度关注,吸引众多与会者、现场嘉宾的热烈关注和深入交流。体现了赛晶在电源技术领域的强大技术实力,凭借国际一流的技术水平和卓越的性能表现,赢得国内外业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。