澎湃“芯”动力，赛晶正式发布SiC芯片！

8月28日举行的PCIM Asia 2024展上，赛晶科技所属子公司SwissSEM正式发布1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片，并由芯片专家做现场报告《高温导通电阻行业领先的1.2kV SiC MOSFET，适用于电动汽车紧凑型逆变器》。

赛晶科技SiC MOSFET芯片

碳化硅（SiC）具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、电力储能、服务器电源、工业电源变频、智能电网、轨道交通等各个领域。尤其在新能源汽车领域，碳化硅（SiC）功率器件有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高效化，在新能源车的主驱逆变器等关键电控部件中将发挥更重要的作用。随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。

本次发布的赛晶科技SiC MOSFET芯片，采用多项行业领先的特色设计和工艺，包括：

-- 芯片边沿至金属层仅为约100微米；      -- 元胞间距降低至最小5.0微米；

-- 获得最佳性能的短沟道设计；               -- 元胞间的电流扩散注入；

-- 栅极金属布局连续环绕在芯片周围；     -- 有源区内多晶硅栅极浇道；

-- 连续的铝铜源极焊盘。

源于出色的设计和工艺，我们的SiC MOSFET芯片在高温工作条件下，展现出了极佳的静态和动态特性，并且达到了行业一流水平的1200V/13mΩ。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，赛晶科技还推出了多个型号的车规级、高性能HEEV封装、EVD封装SiC模块。HEEV封装、EVD封装SiC模块采用行业领先的设计和封装工艺，具有非常出色的散热性能，以及极佳的可靠性、鲁棒性，并可以覆盖100KW至300KW 主流电动汽车应用需求，特别是电动汽车紧凑型逆变器。

同期展出的赛晶i20 IGBT芯片、ED封装IGBT模块、ST封装IGBT模块、BEVD封装IGBT模块、EP封装IGBT模块，以及HEEV封装SiC模块、EVD封装SiC模块产品，受到了与会者的高度关注和热烈反响，吸引众多与会者、现场嘉宾的热烈关注和深入交流。

澎湃“芯”动力，赋能“芯”未来，在全球巨头林立的PCIM Asia 2024，赛晶自主研发IGBT、SiC芯片及模块等众多产品，凭借国际一流的技术水平和卓越的性能表现，赢得国内外业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。