赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相TMC2024！

7月4日，由中国汽车工程学会主办的第十六届汽车动力系统技术年会（TMC2024）在青岛举办。作为中国最具影响力的电动化动力系统技术交流平台，吸引了众多新能源行业引领者、高管及专家齐聚一堂，近2000位汽车动力系统技术相关人员参会。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业，赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块受邀参会。

汽车产品的绿色低碳发展水平将直接决定未来汽车产业的全球竞争力。动力系统是汽车绿色低碳转型的核心，其电动化、新能源化、智能化及与其他系统的控制融合的创新空间将超乎想象。 

在这一发展趋势下，赛晶半导体自主研发IGBT、SiC芯片及模块引发众多中外专家学者热烈关注和深入交流，并受到了与会者和客户的高度关注和热烈反响。

赛晶HEEV封装SiC模块（1200V）

HEEV封装SiC模块为电动汽车应用量身定做，适合800V高压平台应用，导通阻抗低至2.0mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

赛晶EVD封装SiC模块（1200V）

EVD封装SiC模块采用乘用车领域普遍采用的全桥封装。通过内部优化设计，具有出色的性能表现。与业界头部企业相同规格封装模块对比，赛晶EVD封装SiC模块的导通电阻低10%至30%，连接阻抗低33%，开关损耗相近或者更低（相同开关速度）。

不仅如此，赛晶半导体ED封装IGBT模块、EV封装IGBT模块、ST封装IGBT模块，同样引发与会者高度关注。充分体现了赛晶在电驱动领域的强大技术实力，凭借多年出色的实用业绩和领先的市场地位，赢得了中国电力电子技术创新研发和国产化先锋的赞誉。