赛晶携最新自主研发IGBT模块亮相PSiC2022

7月14日，PSiC2022第五届中国国际新能源汽车功率半导体市场与关键技术论坛在芜湖举办。本次论坛由PSiC2022组委会、亚洲电动汽车协会、芜湖高新技术产业开发区管委会、芜湖新能源汽车产业基地、芜湖新能源汽车产业协会、IEEE工业电子协会（IES）中国区、中国电力电子产业网联合主办。此次论坛以“融合创芯·助力双碳”为主题，聚焦基础芯片、封装材料、设备、器件、电驱动、整车产业链资源。共有近400名整车、电驱动、功率半导体等产业链上下游专业人士参加论坛。

论坛上，赛晶科技瑞士子公司SwissSEM首席运营官Sven先生，通过视频的方式发表主题报告“工业级和车规级IGBT的创新与突破”。介绍了赛晶i20 IGBT芯片组、ED封装IGBT模块的优势及特点，并首次发布了面向新能源汽车领域的HEEV封装SiC模块，以及面向新能源发电和工业电控领域的ST封装模块。这是继ED封装IGBT模块之后的又一力作，也是赛晶在工业级与车规级IGBT领域的又一次创新与突破。

i20 IGBT芯片，采用FS-TRENCH结构、多项国际前沿优化设计，具有低阻抗短沟道、先进的3D结构、N-增强层，使用TAIKO技术超薄基底、优化的P+设计，以及窄台面精细图案、激光退火处理的场截止层和阳极等优势，多项国际前沿优化设计带来超低通导损耗和判断损耗。

ED封装IGBT模块，采用赛晶自研i20芯片组，不仅性能卓越，还具有出色的鲁棒性。短路耐受时间达15微秒，在2倍甚至3倍额定电流下，该模块仍可安全关断。从而实现低损耗、大电流（可达2×750A），比最常用的i4系列同类模块性能超出10%以上，实现超越i4，比肩i7的卓越性能。

HEEV封装SiC模块，专为电动汽车开发的高效(High Efficient)碳化硅SiC模块。采用赛晶自研i20芯片组，满足高功率、轻量化和高可靠性的需求，采用转移模塑、烧结、超声波焊接等多种先进的封装工艺，无基底直接冷却(已申请专利)、钳桥式结构等独特的创新设计；模块更小的体积（体积降低50%）、更低的损耗（连接电阻降低50%）、更高的可靠性（杂散电感降低40%），拥有高可靠性、良好的可控性、相同的额定功率。

ST封装IGBT模块，新能源发电、工业电控广泛使用的标准模块外型(即62mm模块) 。采用赛晶自研i20芯片组，模块有源面积利用率显著提升，实现同类竞品中最低的热阻、内部阻抗、杂散电感；不仅如此，还采用先进工艺和优质材料，以保证高性能、高可靠性和长寿命，以及自主创新的内部封装技术及兼容市场主流标准的外形，创新的内部优化布局及三维信号传输设计，全面超越同类产品的性能表现。

论坛同期展览，赛晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封装模块、ST封装模块以及EV封装模块样品，引发与会专业人士广泛关注，现场火爆程度超乎预期。许多与会专业人士纷纷到赛晶展位参观和咨询，与现场技术、销售人员进行了深入的交流，并对赛晶将推出的新品抱有极大期许。

赛晶首次公开了自主研发的面向新能源汽车领域的HEEV封装SiC模块，以及面向新能源发电和工业电控领域的ST封装IGBT模块，同时带来了赛晶IGBT最新前沿技术。凭借创新的产品理念、国际一流的研发实力、丰富的行业经验，以及国际顶级的技术专家团队，赛晶科技及其子公司赛晶半导体在打造自主技术高端 IGBT产品的路上稳步向前，攻克了一个又一个的难题，打破IGBT 壁垒，始终致力于为电动汽车、新能源发电、工业电控等市场开发出具有国际一流品质的IGBT芯片和模块产品。