赛晶IGBT芯片、模块开始量产及接受订货

自2020年9月发布i20 IGBT芯片、ED-Type IGBT模块等产品以来，在过去的一年里，赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（以下简称“赛晶半导体”）本着精益求精的科技工匠精神，进行了全面的产品测试和优化，以及生产线建设和试产。

今天，赛晶半导体非常高兴的宣布：1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片，1200V/750A及600A ED-Type IGBT模块等产品成功完成试产，已具备了批量供货能力，并正式开始接受客户订货。

打破“缺芯”困局，共建国产IGBT良性发展生态圈

IGBT，作为功率半导体的代表，被称为大国重器，对电动汽车、新能源电力等国家重点新兴产业发展和达成“双碳”目标，具有重要的战略意义。然而，中国虽然是全球最大的IGBT消费国，市场却长期为国外企业所主导。特别是芯片领域，国内自给率极低。在中美贸易多变的背景下，加快国产化进程，促进中国成为IGBT产业强国，是每一个业内中国企业的责任和使命。

赛晶半导体，希望通过出色的国产芯片产品和对外销售芯片的举措，打破国内严重依赖进口芯片的“缺芯”困局，与广大业内企业共建国产IGBT良性发展生态圈，助力中国IGBT产业腾飞。

i20 IGBT芯片和d20 FRD芯片

i20 IGBT和d20 FRD芯片，电压/电流为1200V/250A，各项性能达到或超过了国际领军企业的同类产品。

i20 IGBT芯片，采用FS-Trench结构，即正面精细沟槽+背面场截止，并通过N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项优化设计，从而带来了高达250A的卓越表现。

d20 FRD芯片，与i20 IGBT芯片一同研发，从而确保了FRD与IGBT的完美配合，以及芯片组的出色整体性能。此外，我们通过先进的发射极效率管理、优化的阳极扩散曲线和阴极缓冲区、优化的N-基底厚度与发射极和载流子寿命，以及特别设计的链接终端，实现了较低的FRD损耗，也降低了IGBT的通导损耗。

在国外企业技术领先并主导市场的IGBT芯片领域，赛晶半导体是少数全部采用自有芯片进行模块封装的国内企业，更是目前极少数公开对外销售自主技术IGBT芯片的国内企业。敢于直面市场的检验，这充分体现了赛晶半导体对产品卓越品质的高度自信。

ED-Type IGBT模块

ED-Type模块，采用标准的“EconoDual”封装设计，使用赛晶半导体i20和d20芯片组，推出了1200V/750A和1200V600A两个型号产品。

ED-Type模块采用了“直线型”优化设计，大幅提升了均流表现，并在降低损耗的同时，提高了可靠性表现。

源于卓越的i20和d20芯片组、出色的优化设计和工艺水平、严格的原材料选用和供应链管理、首屈一指的智能自动化制造生产线，ED-Type模块与国外领域企业的同类产品对比中，表现出了更加优异的综合性能。

一往无前，赛晶半导体将再接再厉，加快开展1700V以及750V的精密沟槽和微沟槽IGBT芯片、碳化硅芯片，以及ED-Type、ST-Type和EV-Type等IGBT模块的产品研发和生产线建设，为广大客户奉献更多、更好的国产IGBT精品，助力中国“强芯梦”的早日实现。