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赛晶IGBT研发系列报道（一）——不忘初心
IGBT，被誉为功率半导体领域“皇冠上的明珠”，是行业内尖端技术的代表。拥有出色的IGBT技术和产品，已经成为一个国家功率半导体产业实力和技术水平的象征，也是左右众多新兴技术和产业发展的关键因素之一。
开展IGBT技术自主研发，打造中国高端IGBT产品，赛晶并不是一时地心血来潮，而是源于一个埋藏了18年的梦想。
起源
ABB集团，自1988年ABB集团成立之后，IGBT一直是其研究和发展的重点。拥有独创的SPT+、SPT++芯片技术，以及LoPak、HiPak、StakPak 等多个系列1700V至6500V丰富的模块产品，是当今世界少数几家掌握高端IGBT 芯片和模块技术的行业领军企业之一。
项颉，赛晶集团的创始人，现任董事会主席，1999年至2001年期间，便在瑞士兰兹伯格的ABB半导体公司工作。期间，项颉不但深入生产第一线熟悉了IGBT的每一个制造环节，还参与了设计研发、项目管理、市场分析等多个岗位的工作，从而对IGBT的技术和产业有了深入的理解。
正是得益于在ABB半导体公司的工作经历，项颉近距离接触了世界顶级公司在IGBT领域的核心技术。项颉在被国外技术的先进性所震撼的同时，也深深地认识到了中国在该领域的落后和差距。一颗梦想的种子，悄无声息的在项颉心中种下 - 一定要想办法打造属于中国自己的IGBT技术和产品。
怀揣这样的心愿，2002年初，项颉回国创立了赛晶集团。然而，技术研发、企业发展仅凭着热血和情怀是不够的，IGBT的技术门槛有多高、产业发展有多难，项颉是深有体会的。因此，项颉带领着赛晶集团为实现IGBT的梦想，开始默默地积蓄力量。从创业之初的一穷二白到今天的年销售额超12亿元，从代理销售业务起步到今天的国际一流自主研发实力，18年后，那一颗梦想的种子终于到了破土而出的时刻。
誓师
今天的中国，正处于在战略转型的关键期和决战期，电动汽车、新能源、轨道交通、智能电网、海洋工程、前沿物理研究等一大批决定中国未来的关键技术、战略新兴产业的突破和发展，都离不开IGBT - 这项关键功率半导体器件的支撑和助力。然而至今，中国自主IGBT技术仍然远落后于国外，亟待取得突破，为国家的发展保驾护航。
时势造英雄，当仁不让。
今天的赛晶，已经成为了功率半导体及其配套器件国产化自主研发的先锋。国内首台自主技术阳极饱和电抗器、大功率电力电子电容器，国际领先的数字式IGBT驱动、层叠母排、固态交直流断路器、脉冲电源、阻抗测量等一大批高新技术产品，是赛晶坚持“研发驱动发展”战略而收获的丰硕成果。
今天的赛晶，已拥有国际一流的技术研发实力。赛晶已经建立了国内三大研发中心、海外三大研发团队的研发体系。其中，海外IGBT研发团队的成员，均来自欧洲一流企业，不仅掌握国际最先进的技术理念，也拥有国内稀缺的大规模制造工艺和经验。可以说，IGBT研发，赛晶是“站在巨人的肩膀上”起步。
不忘初心，方得始终。
今天，终于到了项颉和赛晶去实现梦想的时刻。我们有信心、有决心研发出属于中国自己的高端IGBT技术和产品，让那一颗梦想的种子，开出最灿烂的花朵，结出最丰硕的果实。